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1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Siteplutao.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
IdentificadorJ8LNKAN8RW/3AFKT28
Repositóriodpi.inpe.br/plutao/2011/09.22.16.22   (acesso restrito)
Última Atualização2011:10.20.10.49.29 (UTC) administrator
Repositório de Metadadosdpi.inpe.br/plutao/2011/09.22.16.22.35
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.00.01.23 (UTC) administrator
DOI10.1007/s11051-011-0366-3
ISSN1388-0764
Rótulolattes: 3894119234731870 3 MirandaBaldBeloFerr:2011:NaInIn
Chave de CitaçãoMirandaBaldBeloFerr:2011:NaInPo
TítuloNanodiamond infiltration into porous silicon through etching of solid carbon produced at different graphitization temperatures
ProjetoCNPq[141221/2005-4]; Fapesp[03/13454-8]
Ano2011
MêsSept.
Data de Acesso18 maio 2024
Tipo SecundárioPRE PI
Número de Arquivos1
Tamanho725 KiB
2. Contextualização
Autor1 Miranda, Claudia Renata Borges
2 Baldan, M. R.
3 Beloto, Antonio Fernando
4 Ferreira, Neidenêi Gomes
Identificador de Curriculo1
2
3 8JMKD3MGP5W/3C9JGJ8
4 8JMKD3MGP5W/3C9JHU3
Grupo1 CST-CST-INPE-MCT-BR
2 LAS-CTE-INPE-MCT-BR
3 LAS-CTE-INPE-MCT-BR
4 LAS-CTE-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
3 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
4 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
Endereço de e-Mail do Autor1
2
3 beloto@las.inpe.br
4 neidenei@las.inpe.br
Endereço de e-Mailbeloto@las.inpe.br
RevistaJournal of Nanoparticle Research
Volume13
Número9
Páginas4219-4228
Nota SecundáriaB1_ASTRONOMIA_/_FÍSICA B1_CIÊNCIAS_BIOLÓGICAS_I B2_CIÊNCIAS_BIOLÓGICAS_III A2_ENGENHARIAS_II B2_MATERIAIS B1_QUÍMICA
Histórico (UTC)2011-09-23 14:11:15 :: lattes -> secretaria.cpa@dir.inpe.br :: 2011
2011-11-04 12:42:22 :: secretaria.cpa@dir.inpe.br -> administrator :: 2011
2018-06-05 00:01:23 :: administrator -> marciana :: 2011
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Tipo de Versãopublisher
Palavras-ChaveNanodiamond
Porous silicon
Chemical vapor infiltration
Reticulated vitreous carbon
Synthesis
NANOCRYSTALLINE DIAMOND FILMS
RETICULATED VITREOUS CARBON
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
HF-ACETONITRILE
GROWTH
NUCLEATION
FABRICATION
ETHANOL
SURFACE
CVI
ResumoNanocrystalline diamond (NCD) was grown on the porous silicon (PS) substrate using Reticulated Vitreous Carbon (RVC) as an additional solid carbon source. RVC was produced at different heat treatment temperatures of 1300, 1500, and 2000 °C, resulting in samples with different turbostratic carbon organizations. The PS substrate was produced by an electrochemical method. NCD film was obtained by the chemical vapor infiltration/deposition process where a RVC piece was positioned just below the PS substrate. The PS and NCD samples were characterized by Field Emission Gun-Scanning Electron Microscopy (FEG-SEM). NCD films presented faceted nanograins with uniform surface texture covering all the pores resulting in an apparent micro honeycomb structure. Raman's spectra showed the D and G bands, as well as, the typical two shoulders at 1,150 and 1,490 cm−1 attributed to NCD. X-ray diffraction analyses showed the predominant (111) diamond orientation as well as the (220) and (311) peaks. The structural organization and the heteroatom presence on the RVC surface, analyzed from X-ray photoelectron spectroscopy, showed their significant influence on the NCD growth process. The hydrogen etching released, from RVC surface, associated to carbon and/or oxygen/nitrogen amounts led to different contributions for NCD growth.
ÁreaFISMAT
Arranjo 1urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Nanodiamond infiltration into...
Arranjo 2urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > COCST > Nanodiamond infiltration into...
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4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo Alvomiranda.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
lattes
secretaria.cpa@dir.inpe.br
Visibilidadeshown
Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft12
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
8JMKD3MGPCW/3F3T29H
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; COMPENDEX.
Acervo Hospedeirodpi.inpe.br/plutao@80/2008/08.19.15.01
6. Notas
NotasSetores de Atividade: Pesquisa e desenvolvimento científico.
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyholder copyright creatorhistory descriptionlevel format isbn lineage mark mirrorrepository nextedition orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress readergroup rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarykey session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
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